RAM-Vergleich Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Gesamtnote

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 15.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,475.5 12.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 56

Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 8800

Rund um 2.18 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

598 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns