Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,475.5 left arrow 12.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 56
    Wokół strony -133% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 8800
    Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    56 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,878.3 left arrow 15.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,475.5 left arrow 12.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    598 left arrow 2852
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania