RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3716
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link