RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3631
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link