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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
27
周辺 19% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
19.5
17.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.0
12.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
27
読み出し速度、GB/s
17.7
19.5
書き込み速度、GB/秒
12.7
15.0
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
3631
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0 ns
最新の比較
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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