RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3716
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link