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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2360
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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