RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4052
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link