Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Pontuação geral
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 26
    Por volta de -8% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.8 left arrow 13.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2143 left arrow 2360
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