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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2360
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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