RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Comparar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
3447
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link