Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

总分
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

总分
star star star star star
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 26
    左右 -8% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 24
  • 读取速度,GB/s
    12.8 left arrow 13.7
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2360
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较