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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

総合得点
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 26
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2360

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