Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    41 left arrow 42
    Por volta de -2% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2173 left arrow 2229
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RAM 1
RAM 2

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