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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
42
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2229
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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