Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

总分
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

总分
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    41 left arrow 42
    左右 -2% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    42 left arrow 41
  • 读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • 写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 2229
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