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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
比较
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
总分
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 -2% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
41
读取速度,GB/s
13.7
13.6
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2229
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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