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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Compara
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
42
En -2% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2229
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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