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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Valor medio en las pruebas
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 42
    En -2% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2173 left arrow 2229

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Memoria RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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Memoria RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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Memoria RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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