RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Compara
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2022
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link