Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Note globale
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 12.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 42
    Autour de -50% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.7 left arrow 12.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2173 left arrow 2022
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons