RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3040
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link