RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2022
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link