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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
2022
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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