RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
54
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2120
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link