RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
54
Autour de -145% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2120
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link