RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2120
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link