RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2120
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link