Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    41 left arrow 42
    Wokół strony -2% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 41
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2173 left arrow 2229
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania