RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Porównaj
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2229
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link