RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Powody do rozważenia
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    41 left arrow 42
    Wokół strony -2% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 41
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2173 left arrow 2229

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Pamięć RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Pamięć RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Pamięć RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Pamięć RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Pamięć RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Pamięć RAM