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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

総合得点
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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

総合得点
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 13.6
    テスト平均値
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 42
    周辺 -2% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2173 left arrow 2229

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