Comparaison de la RAM Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Note globale

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.7 13.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

41 42

Autour de -2% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2173 2229

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns