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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Comparez
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Note globale
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
42
Autour de -2% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
2229
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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