RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de -126% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2631
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link