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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
2,614.5
16.6
写入速度,GB/s
1,145.9
8.9
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2631
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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