Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Note globale
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Note globale
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    52 left arrow 75
    Autour de 31% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.2 left arrow 7.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.9 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 14900
    Autour de 1.43 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    52 left arrow 75
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.7 left arrow 14.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.2 left arrow 7.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2173 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons