RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
75
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
75
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
1763
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link