RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
75
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.1
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2173
1763
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link