RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2852
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link