RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1976
2254
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link