RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1976
2865
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link