RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
69
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3299
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link