RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
69
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3299
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link