RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
57
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
57
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1244
3462
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link