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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
57
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
57
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1244
2631
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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