RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2418
2938
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link