RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2949
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link