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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
33
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
33
読み出し速度、GB/s
16.1
16.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2949
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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