RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2418
3692
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5469-042.A00LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link