RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
3692
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link