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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2418
2637
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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