RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
101
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
6.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1369
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link