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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
比較する
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
101
周辺 54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
6.0
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
3200
周辺 6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
101
読み出し速度、GB/s
2,909.8
14.5
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
6.0
メモリ帯域幅、mbps
3200
19200
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
1369
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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