RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
101
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
101
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1369
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link