RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2402
3085
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link