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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
3085
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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